研究與發(fā)展
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靶材 - 應(yīng)用領(lǐng)域
發(fā)布者：管理員 發(fā)布時間：2013-05-08 10:31:11 瀏覽次數(shù)：3660
眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用 產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在
薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變 化。如Ic制造商．最近致力于低電阻率銅布線的開發(fā)， 預(yù)計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的屯腦顯示器及電視機市場．亦將人幅增 加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫 光盤的需求持 續(xù)增加． 這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢。
溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下 得到比較純的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近純的 I T O薄膜 的電阻率。F P D和導(dǎo)電玻璃的尺寸都相當火，導(dǎo)電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ ，為了提高靶材的利用率，開發(fā) 了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家 發(fā)展計劃委員會、科學(xué)技術(shù)部在 《 當前優(yōu)先發(fā)展的信 息產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。廣西 柳州華錫公司和寧夏九0五集團已完成了ⅡD靶材的研究工作 ，即將投入生產(chǎn)。
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費設(shè)備來說都是很重要的特征。江西科泰新材料有限公司經(jīng)研發(fā)的GeSbTe平面靶材，最大直徑能做到355毫米。
薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變 化。如Ic制造商．最近致力于低電阻率銅布線的開發(fā)， 預(yù)計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的屯腦顯示器及電視機市場．亦將人幅增 加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫 光盤的需求持 續(xù)增加． 這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢。
2.1微電子領(lǐng)域
2.2平面顯示器用靶材
溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下 得到比較純的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近純的 I T O薄膜 的電阻率。F P D和導(dǎo)電玻璃的尺寸都相當火，導(dǎo)電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ ，為了提高靶材的利用率，開發(fā) 了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家 發(fā)展計劃委員會、科學(xué)技術(shù)部在 《 當前優(yōu)先發(fā)展的信 息產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。廣西 柳州華錫公司和寧夏九0五集團已完成了ⅡD靶材的研究工作 ，即將投入生產(chǎn)。
2. 3存儲技術(shù)用靶材
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費設(shè)備來說都是很重要的特征。江西科泰新材料有限公司經(jīng)研發(fā)的GeSbTe平面靶材，最大直徑能做到355毫米。
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